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FDN336P(UMW)
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.3A
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- 描述
- P-Channel 2.5V指定MOSFET经过特别定制，可将导通电阻降至最低，同时保持低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN336P(UMW)
- 商品编号
- C5290360
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 122mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |