WCR190N65TF-3/T
WCR190N65TF-3/T
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WCR190N65TF-3/T
- 商品编号
- C5290317
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,7.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.621nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WNM03001是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM03001为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装PDFN3333-8L
应用领域
- DC/DC转换器-电源转换器电路-便携式设备的负载/电源开关