TPS51367RVER

TPS51367是一款高压输入、同步转换器，此转换器带有集成的FET，它基于DCAP - 2™控制拓扑结构，从而实现快速瞬态响应并支持POSCAP和所有MLCC输出电容器。为诸如VCCIO和VDDQ等用于DDR笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点(POL)提供最高密度的解决方案。

其主要特性是ULQ™ - 100模式以实现低偏置电流（低功率模式下为100μA，由LP#启用），对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。

特性集包括800kHz的开关频率、可由一个外部电容器设定的软启动时间、自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制，其中包括OCL，UVP，OVP 5V UVLO和热关断。

它采用3.5mm×4.5mm，焊球间距0.4mm，28引脚QFN (RVE)封装，额定运行温度范围为 - 10°C至85°C。

• 输入电压范围：3V至22V
• 输出电压范围：0.6V至2V
• 12A集成FET转换器
• 最少的外部组件数量
• ULQ™ - 100模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命
• 软启动时间可由外部电容器设定
• 开关频率：400kHz和800kHz
• D - CAP2™架构以实现高分子有机半导体固体电容器(POSCAP)和所有多层陶瓷电容(MLCC)输出电容器的使用
• 用于精确过流限制(OCL)保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测
• 电源良好输出
• OCL，过压保护(OVP)，欠压保护(UVP)和欠压闭锁(UVLO)保护
• 热关断（非锁存）
• 输出放电功能
• 集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关
• 焊球间距0.4mm，高度1mm的28引脚，3.5mm×4.5mm，RVE，四方扁平无引线(QFN)封装

• 笔记本电脑(VCCIO)内存轨道(DDR VDDQ)