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STM32H747XIH6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STM32H747XIH6

带DSP和DP-FPU的高性能ARM Cortex-M7 + Cortex-M4 MCU,具有2 MB Flash、1 MB RAM、480 MHz CPU、ART加速器、一级缓存、外部存储器接口、大量外设、SMPS和MIPI-DSI

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描述
特性:包含先进的专利技术。 双核:32位Arm Cortex-M7内核,具有双精度FPU和L1缓存(16KB数据缓存和16KB指令缓存),频率高达480MHz,具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令;32位Arm Cortex-M4内核,具有FPU、自适应实时加速器(ART Accelerator),频率高达240MHz,具备MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS /MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 内存:高达2MB的闪存,支持读写同时进行;1MB的RAM,包括192KB的TCM RAM(含64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序)、864KB的用户SRAM和4KB备份域的SRAM;双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133MHz;灵活的外部内存控制器,具有高达32位的数据总线,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达125MHz;具备CRC计算单元。 安全:ROP、PC-ROP、主动防篡改。 通用输入/输出:多达168个具有中断功能的I/O端口。 复位和电源管理:3个独立的电源域,可独立进行时钟门控或关闭;1.62至3.6V的应用电源和I/O;POR、PDR、PVD和BOR;专用USB电源,内置3.3V内部稳压器为内部PHY供电;嵌入式稳压器(LDO)为数字电路供电;高效SMPS降压转换器稳压器,可直接为VCORE和/或外部电路供电;运行和停止模式下的电压缩放(6个可配置范围);备份稳压器(约0.9V);模拟外设的电压参考/VREF+;1.2至3.6V的电池供电;低功耗模式:睡眠、停止、待机和支持电池充电的VBAT模式。 低功耗:VBAT电池工作模式,具备充电能力;CPU和域电源状态监控引脚;待机模式下2.95μA(备份SRAM关闭,RTC/LSE开启)。 时钟管理:内部振荡器:64MHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、32kHz LSI;外部振荡器:4-48MHz HSE、32.768kHz LSE;3个PLL(1个用于系统时钟,2个用于内核时钟),具备分数模式
商品型号
STM32H747XIH6
商品编号
C5271089
商品封装
TFBGA-265(14x14)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核ARM Cortex-M7;ARM Cortex-M4
CPU最大主频240MHz;480MHz
CPU位数32 Bit
程序存储容量2MB
程序存储器类型FLASH
属性参数值
RAM容量1MB
EEPROM容量-
I/O数量168
振荡器类型内置
工作电压1.62V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃

数据手册PDF