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CMH50N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:50A
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- 描述
- CMH50N20采用先进的沟槽技术和设计，在具备低栅极电荷的同时，还能提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH50N20
- 商品编号
- C5203930
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 280W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMH90N20采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。 这些器件非常适合用于高功率逆变器、切割机。
商品特性
- VDS = 200 V，ID = 100 A
- RDS(ON) = 25mΩ（VGS = 10V时）
- 低导通电阻
- 快速开关
- 符合RoHS标准
- 200V、典型值18mΩ、100A的N沟道MOSFET
应用领域
- 直流-交流转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源（UPS）