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CMD80N08
1个N沟道 耐压:80V 电流:80A
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD80N08
- 商品编号
- C5203886
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 7nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMSA75N68采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 9.6 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 降低传导损耗
- 降低开关损耗
应用领域
- 计算机、服务器和负载点(POL)中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器