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CMU30N06AL
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A 停产
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU30N06AL
- 商品编号
- C5203858
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
商品概述
20N06L采用了先进的沟槽MOSFET技术。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。 这些器件非常适合用于低电压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关。
商品特性
- N沟道增强型
- 更低的导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC和DC-AC转换器
- 电机控制、音频放大器
- 大电流、高速开关
- 螺线管和继电器驱动器