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CMD100P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD100P03
- 商品编号
- C5203757
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMN2309M是P沟道增强型功率MOSFET，采用串联设计。具有开关速度快、导通电阻低、稳定性好的特点。适用于商业和工业表面贴装应用，也适用于如DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- 快速开关速度
- 较低的导通电阻
- 100%保证EAS
- 驱动要求简单
应用领域
- DC-DC转换器
- LCD显示器逆变器
- 笔记本电脑电源管理