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AGM405Q
1个N沟道 耐压:40V 电流:55A
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- 描述
- 通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=40V Id=55A Rds=5.7mΩ(8.0mΩ最大)DFN5x6封装；
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM405Q
- 商品编号
- C5184849
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 775pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
CM3407是采用高单元密度沟槽技术的P沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计优化了开关性能，尤其旨在最小化导通电阻。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-30V
- 漏极电流（ID）：-4.1A
- 导通电阻RDS(ON)（@栅源电压VGS = -10V）：< 55mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（@栅源电压VGS = -4.5V）：< 68mΩ
- 高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和直流电流承载能力
应用领域
- 手机及配件-个人数字助理-便携式仪器-负载开关