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AGM405Q
1个N沟道 耐压:40V 电流:55A
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- 描述
- 通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=40V Id=55A Rds=5.7mΩ(8.0mΩ最大)DFN5x6封装；
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM405Q
- 商品编号
- C5184849
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 775pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
CM3407是采用高单元密度沟槽技术的P沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计优化了开关性能，尤其旨在最小化导通电阻。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-MB/VGA Vcore-开关电源二次侧同步整流-负载点应用-无刷直流电机驱动器