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AGM420MBA
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:8.5A
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- 描述
- AGM420MBA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM420MBA
- 商品编号
- C5184866
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A；6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；40mΩ@-10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@10V；18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 516pF；931pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF；72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 96pF；82pF |
商品概述
AGM12T05A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源(SMPS)二次同步整流器
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器