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AGM420MA
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:23A
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- 描述
- AGM420MA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM420MA
- 商品编号
- C5184859
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A；22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V；26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA；1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@10V；27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
AGM30P10S将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，可实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-主板/显卡核心电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器