温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM405D
1个N沟道 耐压:40V 电流:72A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGM405D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM405D
- 商品编号
- C5184863
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.588nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 161pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
WSR150N04采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
-负载开关-电池保护-不间断电源