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AGM403D1
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=120A Rds=2.7mΩ(3.7mΩ最大)TO-252封装；
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM403D1
- 商品编号
- C5184864
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.156nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 363pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
AO4468是一款采用高单元密度先进沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 30V/10A，RDS(ON) = 16mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 30V/10A，RDS(ON) = 20mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器
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