温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM405A
1个N沟道 耐压:40V 电流:72A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGM405A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM405A
- 商品编号
- C5184860
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
AGM420MA 将先进的沟槽型 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，从而实现了极低的导通电阻 R₍DS(ON)₎。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。
商品特性
- 高密度先进沟槽技术
- 低导通电阻 R₍DS(ON)₎ 以减少导通损耗
- 低栅极电荷，实现快速切换
- 低热阻
- 100% 阀值击穿测试
- 100% 漏源击穿电压测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压 - 二次侧同步整流器（用于开关电源） - 电源负载点应用 - 无刷直流电机驱动器