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AGM30P55D1
1个P沟道 耐压:30V 电流:65A
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- 描述
- 通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=-30V Id=-65A Rds=6.5mΩ(8.5mΩ最大)TO-252封装；
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM30P55D1
- 商品编号
- C5184855
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和更低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS E系列针对开关特性进行了优化，以实现电磁干扰（EMI）与效率之间的平衡。其设计使电源系统在满足EMI标准的同时达到最高效率。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
应用领域
- MB/VGA核心电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器