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AGM30P55D1
1个P沟道 耐压:30V 电流:65A
描述
通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=-30V Id=-65A Rds=6.5mΩ(8.5mΩ最大)TO-252封装；
- 品牌名称AGM-Semi(芯控源)
商品型号
AGM30P55D1商品编号
C5184855商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.5mΩ@10V,20A | |
| 功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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