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AGM60P40D
1个P沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- 通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=-60V Id=-45A Rds=26mΩ(30mΩ最大)TO-252封装；
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM60P40D
- 商品编号
- C5184850
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V；31mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 222pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V，漏极电流（ID） = -10 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。