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BM8205A
双N沟道增强型MOSFET，低导通电阻，高密度单元设计，适用于电源开关和高频电路
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- 描述
- SOT23-6封装 20V N管
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BM8205A
- 商品编号
- C54741133
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0397克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 89pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
- 极低导通电阻 RDS(ON)
- 采用高密度单元设计，实现超低 Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 采用 SOT23 - 6L 表面贴装封装
商品特性
- VDS = 20V
- ID = 6A
- RDS(ON) 在 VGS = 4.5V 时，典型值为 20mΩ
- RDS(ON) 在 VGS = 2.5V 时，典型值为 27mΩ
应用领域
- 电源开关应用
- PWM 应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源