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BMF10N65G
BMF10N65G
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- 描述
- TO-220FG厚框架
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMF10N65G
- 商品编号
- C54741140
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 32.1575克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 690V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 790mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |