- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BMF65R190F
N沟道超结MOSFET，快速开关，低栅极电荷，单位芯片面积低导通电阻
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- 描述
- TO-220F 650V 20A N管
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMF65R190F
- 商品编号
- C54741141
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 33.3W | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
BMF65R190F是一款采用超结技术设计的N沟道功率MOSFET。该器件导通电阻极低，适用于开关应用，具有很强的耐用性。其极低的传导损耗和快速开关特性，可使应用更加高效和快速。
商品特性
- V(BR)DSS = 650V，ID = 20A
- RDS(on) 在VGS = 10V时，典型值为160mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 快速开关
- 低栅极电荷
- 每芯片面积的RDS(on)低（低品质因数）
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 电视和照明