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BNESD9M5.0ST5G
ESD保护二极管，采用固态硅雪崩技术，单向配置，低钳位电压、低漏电流和低电容，适用于数据/电源线保护
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- 描述
- DFN1006封装 5V静电保护管
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BNESD9M5.0ST5G
- 商品编号
- C54741146
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00996克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 105瓦峰值脉冲功率（脉冲时间tp = 8/20微秒）
- 单向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- 低电容（结电容Cj典型值为1.4皮法）
- 保护一条数据/电源线
- IEC 61000 - 4 - 2标准下接触放电±30千伏；空气放电±30千伏
- IEC 61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群）40安（5/50纳秒）
- IEC 61000 - 4 - 5（雷击浪涌）7安（8/20微秒）
应用领域
- 手机及配件
- 基于微处理器的设备
- 个人数字助理（PDA）
- 笔记本电脑、台式机和服务器
- 便携式仪器