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BMQ03N850
N沟道MOSFET，具备快速开关、低导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻特点，适用于开关电源和通用应用
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- 描述
- PDFN3.3*3.3 30V N管
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMQ03N850
- 商品编号
- C54741138
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09218克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷
- 低栅极电阻
- 100%进行UIS测试
应用领域
- 开关电源和通用应用
- 硬开关和高频电路
- 功率传输