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BMZ18N30
N沟道MOSFET，采用TrenchFET技术，适用于便携式应用的负载开关，小封装DFN2X2-6L
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- 描述
- DFN2*2-6L 30V N管
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMZ18N30
- 商品编号
- C54741139
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 沟槽式场效应管功率MOSFET
- 小型DFN2X2-6L封装
- 便携式应用的负载开关
商品特性
- VDS = 30V
- ID = 18A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON)典型值为6.2mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON)典型值为9mΩ