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BMZ18N30
N沟道MOSFET，采用TrenchFET技术，适用于便携式应用的负载开关，小封装DFN2X2-6L
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- 描述
- DFN2*2-6L 30V N管
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMZ18N30
- 商品编号
- C54741139
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034133克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
- 沟槽式场效应管功率MOSFET
- 小型DFN2X2-6L封装
- 便携式应用的负载开关
商品特性
- VDS = 30V
- ID = 18A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON)典型值为6.2mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON)典型值为9mΩ
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