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场效应管(MOSFET)
BMZ18N30
商品大图
型号:BMZ18N30
品牌:BORN(伯恩半导体)
名称:N沟道MOSFET,采用TrenchFET技术,适用于便携式应用的负载开关,小封装DFN2X2-6L
引脚图
此图展示了型号为 BMZ18N30 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 BMZ18N30 的焊盘布局
本页面提供BORN(伯恩半导体)的BMZ18N30产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。BMZ18N30参考售价为0.2762元起,现货库存数量3000个
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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