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2N7002KM
N沟道MOSFET，超高密度单元设计，低导通电阻，可靠耐用，SOT - 723表面贴装封装，ESD保护
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- 描述
- SOT-723封装 60V N管
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- 2N7002KM
- 商品编号
- C54741135
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011563克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 栅极电荷量(Qg) | 290pC | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.3pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 采用超高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 可靠且耐用
- 采用SOT - 723表面贴装封装
- 具备ESD保护
商品特性
- VDS = 60V
- ID = 0.34A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON)最大值为2.5Ω
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON)最大值为3.0Ω