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BMQ03P700

P沟道先进模式MOSFET,快速开关,低导通电阻,无卤和无锑,符合RoHS标准

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描述
PDFN3*3 30V P管
商品型号
BMQ03P700
商品编号
C54741137
商品封装
PDFN-8L(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.09298克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))5.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)39W
属性参数值
栅极电荷量(Qg)79nC
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)510pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -50A
  • 典型RDS(ON) = 5.3mΩ(典型值),@VGS = -10V,Id = -20A
  • 典型RDS(ON) = 7.5mΩ(典型值),@VGS = -4.5V,Id = -10A
  • 快速开关
  • 低导通电阻
  • 无卤和无锑,符合RoHS标准

应用领域

  • 开关切换
  • 便携式/台式电脑的电源管理

数据手册PDF