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BML2307
P沟道MOSFET，采用先进沟槽工艺技术，高密度单元设计实现超低导通电阻，采用SOT23-3L表面贴装封装
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- 描述
- SOT23-3L 20V P管
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BML2307
- 商品编号
- C54741134
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 191pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 采用SOT23 - 3L表面贴装封装
商品特性
- VDS(V)= - 20V
- ID = - 7.5A
- RDS(ON)= - 4.5V，典型值 = 20mΩ
- RDS(ON)= - 2.5V，典型值 = 27mΩ