PHB29N08T,118
1个N沟道 耐压:75V 电流:27A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHB29N08T,118
- 商品编号
- C552625
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@11V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 810pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 高栅极阈值电压,具备高抗噪性
- 低导通电阻,降低传导损耗
应用领域
-工业电机控制