PHB191NQ06LT,118
1个N沟道 耐压:55V 电流:75A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHB191NQ06LT,118
- 商品编号
- C552621
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.665nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品仅适用于计算机、通信、消费和工业应用领域。
商品特性
- 低导通电阻,降低传导损耗
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
-直流-直流转换器-电机、灯具和螺线管-通用工业应用-不间断电源