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PH2925U,115
1个N沟道 耐压:25V 电流:100A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PH2925U,115
- 商品编号
- C552611
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144827克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 814pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的超低电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 低热阻,工作功率更高
- 低导通电阻,传导损耗低
- 可直接与低压栅极驱动器接口
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式设备
- 笔记本电脑
- 开关模式电源
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