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NX7002BKXBZ实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NX7002BKXBZ

2个N沟道 耐压:60V

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描述
双N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无引脚超小DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
NX7002BKXBZ
商品编号
C551613
商品封装
DFN-6(1x1)​
包装方式
编带
商品毛重
0.015克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)260mA
导通电阻(RDS(on))2.2Ω@10V
耗散功率(Pd)407mW
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1nC@10V
输入电容(Ciss)23.6pF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)4.6pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.6

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