温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PBSM5240PFH,115
1个N沟道
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 组合了 PNP 低 VCEsat 小信号突破 (BISS) 晶体管和 N 沟道沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用无引脚中功率 DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PBSM5240PFH,115
- 商品编号
- C551819
- 商品封装
- SOT-1118
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 370mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 760mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 890pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.7pF |
商品概述
PNP低VCEsat小信号突破性（BISS）晶体管与N沟道沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的组合。该器件采用无引脚中功率DFN2020 - 6（SOT1118）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 极低的集电极 - 发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力IC和ICM
- 发热少,能源效率高
- 与传统晶体管相比,所需印刷电路板(PCB)面积更小
应用领域
- 负载开关
- 电池驱动设备
- 电源管理
- 充电电路
- 电源开关(如电机、风扇)