VS8ETH06-N3-HXY

VS8ETH06-N3-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.38V，具备优异的导通特性。器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场景。其碳化硅材料特性带来更低的开关损耗与更高的工作温度耐受能力，在高频、高功率密度的电力电子系统中展现出稳定可靠的运行表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VS8ETH06-N3-HXY

商品编号

C53468114

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.132克(g)