WNSC2D10650TJ-HXY

WNSC2D10650TJ-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.37V，在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流（IFSM）。其低导通压降与高耐压特性相结合，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换场景，能够有效降低系统损耗并提升整体性能表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

WNSC2D10650TJ-HXY

商品编号

C53468111

商品封装

DFN-5B(8x8)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)