NXPSC10650Q-HXY

NXPSC10650Q-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）为60μA，展现出良好的导通与阻断性能。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、功率因数校正及各类高效整流应用，其低VF与低IR特性有助于减少能量损耗并提升系统稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NXPSC10650Q-HXY

商品编号

C53468108

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.136克(g)