WNSC2D10650Q-HXY

WNSC2D10650Q-HXY

描述

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频、高效率要求的电源转换与整流场合。其材料特性有效降低开关损耗，提升系统响应速度与能效表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

WNSC2D10650Q-HXY

商品编号

C53468107

商品封装

TO-220C-2L​

包装方式

管装

商品毛重

3.012克(g)