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NSG2104
高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立高低侧参考输出通道，采用高低压兼容工艺，逻辑输入电平兼容CMOS或LSTTL逻辑输出电平，浮动通道可驱动高压侧N沟道功率MOSFET，具备防止直通保护和欠压锁定功能
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG2104
- 商品编号
- C53436221
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.230336克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NSG2104 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺，使高、低侧栅驱动电路可单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 700V。采用 SOP8 封装，可在 -40℃~125℃ 温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为 +700V
- 兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑
- dVS/dt 耐受能力可达 ±50V/ns
- Vs 负偏压能力达 -9V
- 集成 VCC 欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值 8.9V
- 欠压锁定负向阈值 8.2V
- 芯片传输延时特性：开通/关断传输延时 Ton/Toff = 650ns/130ns
- 延迟匹配时间 50ns
- 防止直通保护
- 死区时间 520ns
- 宽温度范围 -40°C~125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力 300mA/600mA
- 符合 RoHS 标准
- SOP8 (S)
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 逆变器驱动