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NSG2106
自举工作浮地通道的高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具独立输出通道，高低压兼容工艺，集成欠压锁定电路，有防直通保护
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG2106
- 商品编号
- C53436222
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.264738克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NSG2106是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺，使高、低侧栅驱动电路可单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。采用SOP8封装，可在-40℃~125℃温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+700V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 集成VCC、VBS欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
- 芯片传输延时特性：开通/关断传输延时Ton/Toff = 130ns/130ns
- 延迟匹配时间50ns
- 防直通保护，死区时间100ns
- 宽温度范围-40℃~125℃
- 输出级拉电流/灌电流能力300mA/600mA
- 符合RoHS标准
- SOP8 (S)
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 逆变器驱动