商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 118W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.185nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- VDS = -60V
- ID = -110A
- 在VGS = -10V时，RDS(on) < 7.4mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(on) < 10mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 快速开关速度
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源