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HL6802
双N沟道MOSFET，采用沟槽功率LVMOSFET技术，电压控制小信号开关，开关速度快
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL6802
- 商品编号
- C53328946
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 漏极电流（ID） = 3.6A
- 在栅源电压（VGS） = 10V 时，导通电阻（RDS(on)） < 50mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（R） < 70mΩ
- 采用沟槽功率低压 MOSFET 技术
- 电压控制小信号开关
- 开关速度快
应用领域
- 电池供电系统
- 负载开关
- 不间断电源