温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HV10N03
N沟道MOSFET，具有快速开关速度、高dv/dt能力和高耐用性，适用于电源开关、硬开关和高频电路以及不间断电源
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HV10N03
- 商品编号
- C53329063
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 761pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 30V
- ID = 10A
- RDS(on) 在 VGS = 10V 时 < 18mΩ
- R 在 V = 4.5V 时 < 26mΩ
- 经过雪崩能量测试
- 快速开关速度
- 改善的 dv/dt 能力，高耐用性
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源