温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HL3407W
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于接口开关、负载开关和电源管理
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL3407W
- 商品编号
- C53329061
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -4.2A
- R 在VGS = -10V时 < 55mΩ
- RDS(ON) 在VGS = -4.5V时 < 68mΩ
- 先进的沟槽技术
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 接口开关
- 负载开关
- 电源管理