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HL2318
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，无铅产品，适用于电机控制、同步整流和电源管理
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL2318
- 商品编号
- C53329057
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压 VDS = 40V
- 漏极电流 ID = 4A
- 在栅源电压 VGS = 10V 时，导通电阻 RDS(on) < 43mΩ
- 在栅源电压 VGS = 4.5V 时，导通电阻 RDS(on) < 58mΩ
- 先进的沟槽技术
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 电机控制
- 同步整流
- 电源管理