温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HL3400W
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于接口开关、负载开关和电源管理
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL3400W
- 商品编号
- C53329059
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 704pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压 VDS = 30V
- 漏极电流 ID = 5.8A
- 栅源电压 VGS = 10V时 导通电阻RDS(on) < 27mΩ
- 栅源电压VGS = 4.5V时 导通电阻R < 33mΩ
- 先进的沟槽技术
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 接口开关
- 负载开关
- 电源管理