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HL1N20W
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于接口开关、负载开关和电源管理
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL1N20W
- 商品编号
- C53329058
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 538pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 200V
- ID = 1A
- RDS(on) 在 VGS = 10V 时 < 780mΩ
- RDS(on) 在 VGS = 4.5V 时 < 850mΩ
- 先进的沟槽技术
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 接口开关
- 负载开关
- 电源管理