商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.205nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -100V
- 漏极电流（ID） = -25A
- 当栅源电压（VGS） = -10V 时，导通电阻（RDS(on)） < 45mΩ
- 当 VGS = -4.5V 时，R < 60mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 快速开关速度
应用领域
- 电源开关应用
- 电池管理
- 不间断电源