温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HL6801
双P沟道MOSFET，采用Trench Power LVMOSFET技术，适用于电池供电系统和负载开关
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL6801
- 商品编号
- C53328945
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 278pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -3.0A
- RDS(ON) 在 VGS = -10V 时 < 90mΩ
- RDS(ON) 在 VGS = -4.5V 时 < 150mΩ
- 沟槽功率低压 MOSFET 技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池供电系统
- 负载开关
- 不间断电源