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HSBG2302
N沟道快速开关MOSFET，适用于小功率开关和负载开关应用
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBG2302
- 商品编号
- C53243976
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF |
商品概述
HSBG2302 是一款高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的导通电阻和效率。该产品符合 RoHS 和无卤环保产品要求，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 小型单开关
- 负载开关
- 低栅极阈值电压