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HSS3400E
N沟道快速开关MOSFET，采用先进的高单元密度沟槽技术，具备超低栅极电荷和ESD防护
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSS3400E
- 商品编号
- C53243982
- 商品封装
- SOT-23S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 720mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 726pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
HSS3400E是一款采用高元胞密度沟槽工艺的N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的导通电阻和效率。该产品符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色器件选项
- 超低栅极电荷
- ESD等级：>2KV HBM
- 先进的高元胞密度沟槽技术