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HSS8N06
HSS8N06
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSS8N06
- 商品编号
- C53243985
- 商品封装
- SOT-23L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
HSS8N06是一款高单元密度沟槽N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供优异的导通电阻和栅极电荷性能。该器件符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，并通过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 100% EAS保证
- 绿色器件可选
- 超低栅极电荷
- 优异的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术