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HSW3004
N沟道和P沟道快速开关MOSFET，采用先进高单元密度沟槽技术
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSW3004
- 商品编号
- C53243990
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@4.5V；6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF；675pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF；60pF |
商品概述
HSW3004是一款高性能互补型N沟道和P沟道MOSFET，采用高单元密度设计，为大多数同步降压转换器应用提供优异的导通电阻和栅极电荷性能。该产品符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，并通过全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 100%雪崩能量保证
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 优异的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术